品牌AOS
批号20+
封装TO-252
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta),6A(Tc)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA
Vgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),42.5W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss)200V


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